Технические характеристики
КТ865А
Транзистор КТ865А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный.
Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.602ТУ.
Импортный аналог: 2SA1180, 2SA1073, 2SA1068.
Основные технические характеристики транзистора КТ865А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 15 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (200В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40… 200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
