Технические характеристики
2Т602А
Транзисторы 2Т602А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-9.
Масса транзистора не более 5,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Технические условия: И93.365.000 ТУ.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» И93.365.000ТУ;
— приемка «ОС» И93.365.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: BFS99, BF411.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т602А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 80;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс
