Технические характеристики
2Т629АМ-2
Транзисторы 2Т629АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные, на кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами.
Транзисторы 2Т629А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — ЩЫ0.336.032ТУ.
Зарубежный аналог: 2N3245, 2N3671.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 50000 ч — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 80000 ч — в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т629АМ-2:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (50В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25… 80;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 90 пс
