Технические характеристики
2Т637А-2
Транзисторы 2Т637А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.063ТУ.
Зарубежный аналог: MSC85853.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Основные технические характеристики транзистора 2Т637А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1300 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (30В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30…90;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,4 Вт на частоте 3 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3 пс
