Технические характеристики
2Т642А-2
Транзисторы 2Т642А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1…8,15 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы 2Т642А-2, 2Т640А1-2, 2Т642Б1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Маркируются белой точкой.
Транзисторы 2Т642А-5, 2Т642А1-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора бескорпусного не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.112ТУ.
Зарубежный аналог: NE56787, NE243188, NE243287, NE243288.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т642А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (20В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 8 ГГц
