Технические характеристики
2Т704Б
Транзисторы 2Т704Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Тип корпуса: КТ-10.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — ЖК3.365.245ТУ.
Минимальный срок сохраняемости — 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: TIPL770.
Основные технические характеристики транзистора 2Т704Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 100;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом
