Технические характеристики
2Т803А
Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем — не более 34,0 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
— приемка «5» ГЕ3.365.008ТУ;
— приемка «7» ГЕ3.365.008ТУ, П0.070.052;
— приемка «9» ГЕ3.365.008ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог:BDY17.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т803А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 70;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом
