Технические характеристики
2Т836А
Транзисторы 2Т836А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,0058 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.164ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.164ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3204.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т836А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 90 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (300В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 100;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
