Технические характеристики
2Т881В
Транзисторы 2Т881В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.
Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,01 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.644ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.644ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5321.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.