Технические характеристики
2Т904Б
Транзисторы 2Т904Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100…400 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — И93.365.008ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т904Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 2,5 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
