Технические характеристики
2Т912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5…30 МГц при напряжении питания 27 В.
Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод-датчик температуры.
Тип прибора указываются на корпусе.
Транзисторы 2Т912А-5, 2Т912Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 45 г, кристалла не более 0,01 г.
Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63).
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» ЖК3.365.241ТУ;
— приемка «ОС» ЖК3.365.241ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5535, 2N5536.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т912Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (70В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 100;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 70 Вт на частоте 30 МГц
