Технические характеристики
2Т916А
Транзисторы 2Т916А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты, автогенераторах на частотах 0,2…1 ГГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.136ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.136ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MRF1015MA, MRF1015MB.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т916А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1100 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (55В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 35;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 2,25 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 1 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
