2Т948А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т948А
Транзисторы 2Т948А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7…2,3 ГГц в схеме с общей базой.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-54.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» аА0.339.205ТУ;
  — приемка «ОСМ» аА0.339.205ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог:  MRF2016M, NEM2015, MRF2010, MRF2010B, MRF2010M, NEM1712B20, NEM1020, NEM2010.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т948А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 1950 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (45В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 2 ГГц

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты