2Т962А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т962А
Транзисторы СВЧ 2Т962А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400…1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в аппаратуре подвижных и стационарных средств радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 5,0 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» аА0.339.168ТУ;
  — приемка «ОСМ» аА0.339.168ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: NE1010E.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т962А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 17 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 750 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мА (50В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 1 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты