Технические характеристики
2Т996В-2
Транзисторы 2Т996В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях класса «А» с повышенными требованиями к линейности в составе гибридных интегральных микросхем.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на керамическом держателе с гибкими полосковыми выводами.
На крышку транзистора наносят условную маркировку:
— 2Т996А-2 — букву А,
— 2Т996Б-2 — букву Б,
— 2Т996В-2 — букву В,
— 2Т996Г-2 — букву Г.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,21 г.
Транзисторы 2Т996А-5, 2Т996Б-5, 2Т996А-5Н, 2Т996Б-5Н выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Масса транзистора не более 0,00017 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.482ТУ/Д2.
Зарубежный аналог: MRF587, MRF587A.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 25000 ч — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 40000 ч — в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.