Технические характеристики
504УН1Б
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1Б представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).
Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия: ШП0.348.003ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 50000 ч – в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 60000 ч – в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
— в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП — 25 лет;
— в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
— под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
