Технические характеристики
ГТ308Б
Транзисторы ГТ308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ЩП3.365.009ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N1683, 2N2048, 2N2400, 2N796, 2SA412, 2N1854.
Основные технические характеристики транзистора ГТ308Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;
• Uкбо — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50…120 (1В; 10мА);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс
