Технические характеристики
ГТ313Б
Транзисторы ГТ313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ЖК3.365.162ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N1742, GF501, GF503, GF514, 2N700.
Основные технические характеристики транзистора ГТ313Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц;
• Uкбо — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10…75 при 5В; 5мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс
