Технические характеристики
К198НТ1Б
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы К198НТ1Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,8 г.
Зарубежный аналог: CA3046.
Категория качества: «ОТК».
Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 50000 ч – в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 60000 ч – в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
