Технические характеристики
КП307Е
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приёмка «1» — аА0.336.046ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: MMBF5484, JE10335, SMP5104, TMPF5104, TP5104, MPF256.
Основные технические характеристики транзистора КП307Е:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: не более 2,5 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 25 мА
• Iс нач — Начальный ток стока: не более 5 мА;
• S — Крутизна характеристики: 3… 8 мА/В (10В);
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ
