Технические характеристики
КП307Г1
Транзисторы КП307Г1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приёмка «1» — аА0.336.046ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Основные технические характеристики транзистора КП307Г-1:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 1,5… 6 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 27 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 25 мА
• S — Крутизна характеристики: 6… 12 мА/В (10В)
