Технические характеристики
КП364Г
Транзисторы КП364Г кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой КП364Д, КП364Е и низкой КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Ж, КП364И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзистор КП364Г предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приёмка «1» — АДБК.432150.189ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N5485.
Основные технические характеристики транзистора КП364Г:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач — Начальный ток стока: 3… 12 мА;
• S — Крутизна характеристики: 3… 7 мА/В (10В);
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ
