Технические характеристики
КР159НТ1Б
Микросхемы КР159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в 8-выводном прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ХМ3.456.006ТУ.
Импортный аналог: 2N4042 фирмы Solitron Devices, Inc.
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
— Напряжение коллектор-база ………. 20 В
— Напряжение эмиттер-база ………. 4 В
— Напряжение между транзисторами ………. 20 В
— Ток коллектора постоянный ………. 10 мА
— Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) ………. 40 мА
— Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) ………. 50 мВт
