Технические характеристики
КТ306Б
Транзисторы КТ306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты КТ306В, КТ306Г, КТ306Д и переключающих устройствах КТ306А, КТ306Б.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,65 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — СБ0.336.028ТУ.
Импортный аналог: 2SC601, ST6130.
Основные технические характеристики транзистора КТ306Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
