Технические характеристики
КТ3129Г9
Транзисторы КТ3129Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.447ТУ/02 .
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SA811C6, 2SB709A, BCF30, BCF70, BCW30, BCW61B, BCW70, BCX71H, BCX71J, BC858B, BC205B.
Основные технические характеристики транзистора КТ3129Г-9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200… 500;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
