Технические характеристики
КТ325В
Транзисторы КТ325В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,2 г.
Тип корпуса: КТ-2-9 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — СБ0.336.047ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC612, 2SC809, 2N2616.
Основные технические характеристики транзистора КТ325В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 160… 400;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс
