Технические характеристики
КТ342В
Транзисторы КТ342В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных и других устройствах электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ЖК3.365.227ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCY58D, BCY69, BC108C, BC109C, SF136F, SF137F, BC107B, 2N5134.
Основные технические характеристики транзистора КТ342В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 400… 1000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс
