Технические характеристики
КТ640А-2
Транзисторы КТ640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1…7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
— КТ640А-2 — черная полоска,
— КТ640Б-2 — белая полоска,
— КТ640В-2 — синяя полоска.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г,
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.265ТУ.
Импортный аналог: NE21960, NE24318, HXTR4105, 2N6679.
Основные технические характеристики транзистора КТ640А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,6 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (25В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 7 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
