Технические характеристики
КТ349В
Транзисторы КТ349В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях сигналов высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ЩТ3.365.058ТУ2.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N5140, BC178A.
Основные технические характеристики транзистора КТ349В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 120… 300;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
