Технические характеристики
КТ363БМ
Транзисторы КТ363БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка — две цветные точки:
— КТ363АМ — две розовые;
— КТ363БМ — розовая и желтая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» ЩТ0.336.014ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MPSL08, 2SA800, MMT4261.
Основные технические характеристики транзистора КТ363БМ:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс
