Технические характеристики
КТ501Г
Транзисторы КТ501Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.064ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCY90B, 2N1221, BCY17, BCY23.
Основные технические характеристики транзистора КТ501Г :
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (10кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 60;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом
