Технические характеристики
КТ633Б
Транзисторы КТ633Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, быстродействующие, импульсные.
Предназначены для применения в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.338ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2368, MPS3866, BF371.
Основные технические характеристики транзистора КТ633Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (30В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 160;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 20 МГц
