Технические характеристики
КТ8101Б
Транзисторы КТ8101Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях.
Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-43-1 (ТО-218).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — АДБК.432150.083ТУ.
Импортный аналог: 2SA1106, NTE2305, MJE4343.
Основные технические характеристики транзистора КТ8101Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 150 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 160 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
