Технические характеристики
КТ8232А1
Кремниевые мощные составные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n).
КТ8232А1 предназначены для применения в импульсных схемах вторичных источников питания электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Тип корпуса: КТ-43В.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — АБДК.432140.837ТУ.
Минимальный срок сохраняемости — 10 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Импортный аналог: BU941.
Основные технические характеристики транзистора КТ8232А1:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 300… 8000;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом
