Технические характеристики
КТ825Г
Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.306ТУ.
Импортный аналог: 2N6051, 2N605, 2N6286, 2N6287, 2SB650H, BDX62A, BDX64A, BDX66A, BDX86B, BDX88B, MJ2501, MJ4031, MJ4032.
Основные технические характеристики транзистора КТ825Г:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750…18000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
