Технические характеристики
КТ826В
Транзисторы КТ826В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.301ТУ.
Импортный аналог: BUI32, 2SC1101.
Основные технические характеристики транзистора КТ826В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5… 120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
