Технические характеристики
КТ836А
Транзисторы КТ836А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — АДБК.432150.572ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N3204.
Основные технические характеристики транзистора КТ836А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 90 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (300В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 100;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
