Технические характеристики
КТ855Б
Транзисторы КТ855Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3».
Категория качества: «ОТК».
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BDT42C.
Основные технические характеристики транзистора КТ855Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (150В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом
