Технические характеристики
КТ896А
Транзисторы КТ896А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-43-1 (ТО-218).
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — АДБК.432148.038ТУ.
Импортный аналог: BDV64B, TIP146, SGSD200.
Основные технические характеристики транзистора КТ896А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 4 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 90 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750… 18000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом;
• tвыкл — Время выключения:: не более 450 нс
