КТ913Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

КТ913Б
Транзисторы КТ913Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные, СВЧ.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200…1000 МГц при напряжении питания 28 В.
спользуются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками:
  — КТ913А — красная точка на розовой поверхности;
  — КТ913Б — жёлтая точка на розовой поверхности;
  — КТ913В — чёрная точка на розовой поверхности.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  — приемка «1» — аА0.336.039ТУ.
Импортный аналог: 2N4431, 2N5765, 2SC978, BLX93, RFD420, NE1005E, MRF1004MC, MRF1004MA, MRF1004MB, 2SC1334.

Основные технические характеристики транзистора КТ913Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 900 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  1 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (55В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 1000 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты