Технические характеристики
П605
Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора с жесткими выводами не более 11,0 г, с гибкими выводами не более 12,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «1» ЩБ3.365.043ТУ;
— приемка «5» ЩБ3.365.014ТУ;
— приемка «9» ЩБ3.365.014ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Основные технические характеристики транзистора П605:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2000 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20… 60;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 130 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
