Технические характеристики
2N7000
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2N7000 с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
