Технические характеристики
2Т118Б
Транзисторы 2Т118Б кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттерные структуры р-n-р переключательные.
Предназначены для применения в модуляторах в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: КТ-1-19.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» ЖК3.365.209ТУ;
— приемка «ОС» ЖК3.365.209ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т118Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 16 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 100 Ом
