Технические характеристики
BUT11AF
Транзистор BUT11AF кремниевый, высоковольтный, высокоскоростной, структуры n-p-n.
Предназначен для работы в преобразователях, инверторах, импульсных регуляторах, системах управления двигателем и т. д.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: SOT-186.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.
