Технические характеристики
КП303Б
Транзисторы КП303Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приёмка «1» — Ц20.336.601ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N5556, D110-1.
Основные технические характеристики транзистора КП303Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 0,5… 3 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач — Начальный ток стока: 0,5…2 мА;
• S — Крутизна характеристики: 1… 4 мА/В;
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.
