Технические характеристики
КТ3117Б
Транзисторы КТ3117Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.262ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2121A, 2N2222, SG107.
Основные технические характеристики транзистора КТ3117Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (75В);
h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 100…300;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом
