Технические характеристики
КТ851В
Транзисторы КТ851В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.511 ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SA740, 2SB546, 2SB547A, 2SB548, 2SB1096.
Основные технические характеристики транзистора КТ851В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 180 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА (180В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 1400 нс
