Технические характеристики
МП20Б
Транзисторы МП20Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения радиотехнических устройств общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.484ТУ;
— приемка «5» ЩМ3.365.039 ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N1175, 2N60, 2N655, AC125, AC126, EFT313, EFT323, EFT333, SFT223, SFT322, AC132.
Основные технические характеристики транзистора МП20Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1,5 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 80…200;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
